2021 CIAS中国国际新一代车规级功率半导体技术高峰论坛

2021.04.12-13   上海    嘉定喜来登酒店

（慕尼黑电子展同期）

会议背景
       功率半导体在电动汽车制造成本占比仅次于电池，是电动汽车第二大核心零部件。例如IGBT作为重要的功率器件，占电动汽车成本将近10%，通常一台汽车电控系统需要用到几十个IGBT。除了电控系统之外，IGBT还在车载充电机、充电桩等多个地方发挥极其重要的作用。
       新能源电动汽车需要频繁的电压变换和直流-交流变换，加上续航能力要求提升，一套高质量的电能管理方案将是必不可少的。因此，电动汽车对IGBT、MOSFET等功率器件的需求远大于传统汽车。
       功率半导体是电动汽车发展的关键技术，尤其是新型功率器件，其在新能源汽车市场的发展前景不容小觑，特别是对于高性能的功率半导体，将会高度依赖。其中，功率半导体材料和成本方面的突破是进一步提升电动汽车的性能的关键。
        未来的功率器件技术突破是多方面的，例如从宽禁带半导体材料方面着手，利用碳化硅或者氮化镓的耐高温、抗辐射优点，降低导通损耗等。或者是通过超结IGBT技术，提升器件的耐压性能。又或者是利用硅基IGBT和碳化硅MOSFET的巧妙组合，达到新的性能水平。技术路线发展与成本控制并行，从业工程师人员对新一代功率器件及材料的关注度日益增高。
        旺材新媒体自成立以来，一直致力于新能源汽车产业链的多维服务，在新能源电驱领域，往期举办的数十场会议活动，得到了诸多行业用户的认可与支持。于此，本次应行业用户的要求，我们于2021年4月12-13日上海，举办《APIM新一代车规级功率半导体器件与核心材料技术高峰论坛》，聚功率半导体产业链同仁，共商新一代车规级功率半导体的技术革新，材料成本控制与创新应用要求。诚邀各位的莅临参与！

会议亮点

聚焦新一代IGBT与第三代半导体技术

超结IGBT技术  提升器件的耐压性能

硅基IGBT和碳化硅MOSFET 组合    高频率，低损耗 

宽禁带半导体材料     利用碳化硅或者氮化镓的耐高温、抗辐射优点，降低导通损耗等 

会议结构

4.12日  上午 【签到+参观展区】

4.12日  下午 【应用创新与第三代半导体】

4.13日  上午 【芯片技术及材料降本】

4.13日  下午 【模组热管理与可靠性】

4.12日下午  同期活动【汽车级碳化硅芯片/模块与主驱控制器技术闭门会】

--IGBT和MOSFET谁是未来主流？ 碳化硅的机会与尝试  主机厂与电驱企业观点碰撞
--IGBT7已就绪，IGBT8不远？  三菱，罗姆，英飞凌等企业发力何方
--材料降本与可靠性问题解决方案?   国产功率半导体企业入局之路 

技术总监级别以上参与，定向邀请（20人）